Trang in
DMG1026UV-7
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDMG1026UV-7
Mã Đặt Hàng3127312RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Có thể đặt mua
Thời gian xử lý đơn hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất: 12 tuần
Thông báo với tôi khi có hàng trở lại
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.205 |
| 500+ | US$0.140 |
| 1500+ | US$0.138 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 5
US$20.50
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDMG1026UV-7
Mã Đặt Hàng3127312RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id410mA
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel410mA
On Resistance Rds(on)1.2ohm
Continuous Drain Current Id P Channel410mA
Drain Source On State Resistance N Channel1.2ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel1.2ohm
Transistor Case StyleSOT-563
Gate Source Threshold Voltage Max1.8V
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd580mW
Power Dissipation N Channel580mW
Power Dissipation P Channel580mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tổng Quan Sản Phẩm
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id
410mA
Continuous Drain Current Id N Channel
410mA
Continuous Drain Current Id P Channel
410mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
1.2ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1.8V
Power Dissipation Pd
580mW
Power Dissipation P Channel
580mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
On Resistance Rds(on)
1.2ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
1.2ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-563
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
580mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000145