Trang in
AUIRF7343QTR
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 55 V, 55 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.043 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtAUIRF7343QTR
Mã Đặt Hàng2803372RL
Phạm vi sản phẩmHEXFET Series
Được Biết Đến NhưAUIRF7343QTR, SP001517450
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
12,678 có sẵn
Bạn cần thêm?
12678 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Có sẵn cho đến khi hết hàng
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$1.240 |
| 500+ | US$1.140 |
| 1000+ | US$1.060 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$124.00
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtAUIRF7343QTR
Mã Đặt Hàng2803372RL
Phạm vi sản phẩmHEXFET Series
Được Biết Đến NhưAUIRF7343QTR, SP001517450
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel55V
Drain Source Voltage Vds55V
Drain Source Voltage Vds P Channel55V
Continuous Drain Current Id4.7A
On Resistance Rds(on)0.043ohm
Continuous Drain Current Id N Channel4.7A
Continuous Drain Current Id P Channel4.7A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.043ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.043ohm
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Transistor Case StyleSOIC
Power Dissipation Pd2W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
Tổng Quan Sản Phẩm
- Automotive HEXFET® power MOSFET
- Automotive qualified
- Advanced planar technology
- Ultra-low on-resistance
- Logic level gate drive
- Dual N and P channel MOSFET
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
55V
Drain Source Voltage Vds P Channel
55V
On Resistance Rds(on)
0.043ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
4.7A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.043ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.043ohm
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
HEXFET Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Continuous Drain Current Id
4.7A
Continuous Drain Current Id N Channel
4.7A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
2W
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000227