Trang in
IRF7341GTRPBF
Dual MOSFET, N Channel, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRF7341GTRPBF
Mã Đặt Hàng2839483RL
Phạm vi sản phẩmHEXFET Series
Được Biết Đến NhưIRF7341GTRPBF, SP001563394
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
3,389 có sẵn
Bạn cần thêm?
3389 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 50+ | US$1.080 |
| 250+ | US$0.911 |
| 1000+ | US$0.889 |
| 2000+ | US$0.797 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$108.00
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRF7341GTRPBF
Mã Đặt Hàng2839483RL
Phạm vi sản phẩmHEXFET Series
Được Biết Đến NhưIRF7341GTRPBF, SP001563394
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel55V
Drain Source Voltage Vds55V
Drain Source Voltage Vds P Channel55V
Continuous Drain Current Id5.1A
Continuous Drain Current Id N Channel5.1A
On Resistance Rds(on)0.043ohm
Continuous Drain Current Id P Channel5.1A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.043ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.043ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Transistor Case StyleSOIC
Power Dissipation Pd1.7W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel1.7W
Power Dissipation P Channel1.7W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
HEXFET® power MOSFET utilize the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
- Advanced process technology
- Dual N-channel MOSFET
- Ultra-low on-resistance
- 175°C operating temperature
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
55V
Drain Source Voltage Vds P Channel
55V
Continuous Drain Current Id N Channel
5.1A
Continuous Drain Current Id P Channel
5.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.043ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
1.7W
Product Range
HEXFET Series
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Continuous Drain Current Id
5.1A
On Resistance Rds(on)
0.043ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.043ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
1.7W
Power Dissipation N Channel
1.7W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00027