IRF7389TRPBF
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 7.3 A, 7.3 A, 0.023 ohm
4,000 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 50+ | US$0.604 |
| 250+ | US$0.480 |
| 1000+ | US$0.437 |
| 2000+ | US$0.414 |
Thông Tin Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The IRF7389TRPBF is a HEXFET power MOSFET in 8 pin SOIC package. This dual N/P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.
- Generation V technology
- Ultra low ON-resistance
- Complimentary half bridge
- Fully avalanche rated
- 30V P channel and -30V N channel drain to source voltage
- 7.3A P channel and -5.3A N channel continues drain current
Ứng Dụng
Industrial, Power Management
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Complementary N and P Channel
30V
30V
7.3A
7.3A
0.023ohm
10V
SOIC
8Pins
2.5W
-
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Complementary N and P Channel
30V
7.3A
0.023ohm
Surface Mount
0.023ohm
1V
2.5W
2.5W
150°C
-
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản phẩm thay thế cho IRF7389TRPBF
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 4 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Philippines
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
RoHS
RoHS
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm