Trang in
PMDPB56XNEAX
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 3.1 A, 3.1 A, 0.072 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtPMDPB56XNEAX
Mã Đặt Hàng3440020RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Có thể đặt mua
Thời gian xử lý đơn hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất: 54 tuần
Thông báo với tôi khi có hàng trở lại
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.378 |
| 500+ | US$0.289 |
| 1000+ | US$0.214 |
| 5000+ | US$0.180 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$37.80
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtPMDPB56XNEAX
Mã Đặt Hàng3440020RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id3.1A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel3.1A
On Resistance Rds(on)0.055ohm
Continuous Drain Current Id P Channel3.1A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.072ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleDFN2020D
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation Pd485mW
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel485mW
Power Dissipation P Channel485mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
3.1A
Continuous Drain Current Id N Channel
3.1A
Continuous Drain Current Id P Channel
3.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.072ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
485mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
On Resistance Rds(on)
0.055ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
DFN2020D
Power Dissipation Pd
485mW
Power Dissipation N Channel
485mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00001