Trang in
PSMN038-100HSX
Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 100 V, 21.4 A, 21.4 A, 0.0376 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtPSMN038-100HSX
Mã Đặt Hàng4078662RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Có thể đặt mua
Thời gian xử lý đơn hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất: 15 tuần
Thông báo với tôi khi có hàng trở lại
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$1.170 |
| 500+ | US$0.852 |
| 1000+ | US$0.582 |
| 5000+ | US$0.571 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$117.00
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtPSMN038-100HSX
Mã Đặt Hàng4078662RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel100V
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id21.4A
Drain Source Voltage Vds P Channel100V
On Resistance Rds(on)0.03ohm
Continuous Drain Current Id N Channel21.4A
Continuous Drain Current Id P Channel21.4A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.0376ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel-
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Transistor Case StyleLFPAK56D
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd53W
Power Dissipation N Channel53W
Power Dissipation P Channel53W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
100V
Continuous Drain Current Id
21.4A
On Resistance Rds(on)
0.03ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
21.4A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0376ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Transistor Case Style
LFPAK56D
Power Dissipation Pd
53W
Power Dissipation P Channel
53W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source Voltage Vds P Channel
100V
Continuous Drain Current Id N Channel
21.4A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
53W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412100
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000272