Trang in
MJE4343G
TRANSISTOR, RF BIPOLAR
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Không còn hàng
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtMJE4343G
Mã Đặt Hàng1653704
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max160V
Continuous Collector Current16A
Power Dissipation125W
Transistor Case StyleTO-218
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min35hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
NPN
Continuous Collector Current
16A
Transistor Case Style
TO-218
No. of Pins
3Pins
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage Max
160V
Power Dissipation
125W
Transistor Mounting
Through Hole
DC Current Gain hFE Min
35hFE
Product Range
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Chờ thông báo
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.15