Trang in
FDS8958A-F085
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 7 A, 7 A, 0.019 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFDS8958A-F085
Mã Đặt Hàng2453865RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFDS8958A-F085
Mã Đặt Hàng2453865RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id7A
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel7A
On Resistance Rds(on)0.019ohm
Continuous Drain Current Id P Channel7A
Drain Source On State Resistance N Channel0.019ohm
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel0.019ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max1.9V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd2W
Power Dissipation N Channel2W
Power Dissipation P Channel2W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (17-Jan-2022)
Sản phẩm thay thế cho FDS8958A-F085
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The FDS8958A_F085 is a dual N/P-channel MOSFET advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. The device is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.
- Fast switching speed
- High power and current handling capability in a widely used surface-mount package
Ứng Dụng
Industrial, Power Management
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
7A
Continuous Drain Current Id N Channel
7A
Continuous Drain Current Id P Channel
7A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.9V
Power Dissipation Pd
2W
Power Dissipation P Channel
2W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (17-Jan-2022)
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
On Resistance Rds(on)
0.019ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
0.019ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.019ohm
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (4)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:United States
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:United States
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2022)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000454