Trang in
NTUD3174NZT5G
Dual MOSFET, N Channel, 20 V, 20 V, 220 mA, 220 mA, 1.5 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNTUD3174NZT5G
Mã Đặt Hàng2845409RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Có thể đặt mua
Thời gian xử lý đơn hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất: 21 tuần
Thông báo với tôi khi có hàng trở lại
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.442 |
| 500+ | US$0.347 |
| 1000+ | US$0.287 |
| 5000+ | US$0.260 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 5
US$44.20
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNTUD3174NZT5G
Mã Đặt Hàng2845409RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id220mA
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel220mA
On Resistance Rds(on)0.75ohm
Continuous Drain Current Id P Channel220mA
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel1.5ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel-
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Transistor Case StyleSOT-963
Power Dissipation Pd125mW
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel125mW
Power Dissipation P Channel125mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id
220mA
Continuous Drain Current Id N Channel
220mA
Continuous Drain Current Id P Channel
220mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.5ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
-
Transistor Case Style
SOT-963
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
125mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
On Resistance Rds(on)
0.75ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
125mW
Power Dissipation N Channel
125mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000012