Trang in
NVTJD4001NT1G
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 250 mA, 250 mA, 1 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNVTJD4001NT1G
Mã Đặt Hàng2728055RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
4,580 có sẵn
Bạn cần thêm?
4580 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.105 |
| 500+ | US$0.099 |
| 1500+ | US$0.098 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 5
US$10.50
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNVTJD4001NT1G
Mã Đặt Hàng2728055RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id250mA
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
On Resistance Rds(on)1ohm
Continuous Drain Current Id N Channel250mA
Continuous Drain Current Id P Channel250mA
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel1ohm
Rds(on) Test Voltage4V
Drain Source On State Resistance P Channel1ohm
Transistor Case StyleSOT-363
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation Pd272mW
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel272mW
Power Dissipation P Channel272mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
250mA
On Resistance Rds(on)
1ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
250mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
1ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
272mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
250mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4V
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation Pd
272mW
Power Dissipation N Channel
272mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0004