Trang in
QS6M3TR
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 1.5 A, 1.5 A, 0.17 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
2,872 có sẵn
Bạn cần thêm?
2872 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Có sẵn cho đến khi hết hàng
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.707 |
| 10+ | US$0.522 |
| 100+ | US$0.371 |
| 500+ | US$0.256 |
| 1000+ | US$0.232 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 5
Nhiều: 5
US$3.53
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtROHM
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtQS6M3TR
Mã Đặt Hàng1525473
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel1.5A
Continuous Drain Current Id P Channel1.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.17ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.17ohm
Transistor Case StyleTSMT
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel900mW
Power Dissipation P Channel1.25W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Tổng Quan Sản Phẩm
The QS6M3TR is a N/P-channel MOSFET designed as low ON-resistance device by the micro-processing technologies useful for wide range of applications. This device is suitable for use with coin processing machines, handy type digital multi-meter, PLC (programmable logic controller) AC servo, network attached storage and DVR/DVS applications.
- 2.5V Drive
- Fast switching speed
- Small surface-mount package
- Low ON-resistance
- Built-in G-S protection diode
Ứng Dụng
Industrial, Power Management, Portable Devices, Motor Drive & Control
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
1.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.17ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.25W
Product Range
-
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
1.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.17ohm
Transistor Case Style
TSMT
Power Dissipation N Channel
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:South Korea
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:South Korea
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000056