Trang in
SI4946CDY-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 6.1 A, 6.1 A, 0.033 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSI4946CDY-T1-GE3
Mã Đặt Hàng2846626RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
6,911 có sẵn
Bạn cần thêm?
6911 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.561 |
| 500+ | US$0.438 |
| 1000+ | US$0.399 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$56.10
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtVISHAY
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSI4946CDY-T1-GE3
Mã Đặt Hàng2846626RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id6.1A
Continuous Drain Current Id N Channel6.1A
On Resistance Rds(on)0.033ohm
Continuous Drain Current Id P Channel6.1A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.033ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.033ohm
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max3V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd2.8W
Power Dissipation N Channel2.8W
Power Dissipation P Channel2.8W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHC0
Tổng Quan Sản Phẩm
Dual N-channel 60V (D-S) MOSFET suitable for use in DC/DC converter, load switch, inverters and circuit protection applications.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg tested
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
6.1A
Continuous Drain Current Id P Channel
6.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.033ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.033ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
2.8W
Power Dissipation P Channel
2.8W
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
0
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id
6.1A
On Resistance Rds(on)
0.033ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
2.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:0
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00016