Trang in
FZ2000R33HE4BOSA1
IGBT Module, Single Switch, 2 kA, 2.45 V, 150 °C, Module
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFZ2000R33HE4BOSA1
Mã Đặt Hàng3324632
Phạm vi sản phẩmIHM-B Series
Được Biết Đến NhưFZ2000R33HE4, SP003062218
Mã sản phẩm của bạn
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Có thể đặt mua
Thời gian xử lý đơn hàng tiêu chuẩn của nhà sản xuất: 22 tuần
Thông báo với tôi khi có hàng trở lại
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$2,455.680 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$2,455.68
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFZ2000R33HE4BOSA1
Mã Đặt Hàng3324632
Phạm vi sản phẩmIHM-B Series
Được Biết Đến NhưFZ2000R33HE4, SP003062218
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
IGBT ConfigurationSingle Switch
Continuous Collector Current2kA
Collector Emitter Saturation Voltage2.45V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationTab
Collector Emitter Voltage Max3.3kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeIHM-B Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
FZ2000R33HE4BOSA1 is a IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled 4 diode. Potential applications includes motor drives, traction drives, UPS systems, medium-voltage converters, high-power converters, active frontend (energy recovery). Qualified for industrial applications according to the relevant tests of IEC 60747, 60749 and 60068.
- AlSiC base plate for increased thermal cycling capability
- High power density, isolated base plate
- High DC stability, high short-circuit capability
- Low switching losses, unbeatable robustness
- Stray inductance module is 6nH (typ)
- Module lead resistance, terminals - chip is 0.08mohm (TC = 25 °C, per switch)
- Collector-emitter voltage is 3300V (Tvj = -40°C)
- Repetitive peak collector current is 4000A (tp limited by Tvj op)
- Gate threshold voltage is 5.80V (typ, IC = 94mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C)
- Temperature under switching conditions range from -40 to 150°C
Thông số kỹ thuật
IGBT Configuration
Single Switch
Collector Emitter Saturation Voltage
2.45V
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Tab
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
IHM-B Series
Continuous Collector Current
2kA
Power Dissipation
-
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
3.3kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:3A228.c
EU ECCN:3A228.c
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):1.151