Bạn cần thêm?
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$1.920 |
| 10+ | US$1.410 |
| 50+ | US$1.350 |
| 100+ | US$1.300 |
| 250+ | US$1.290 |
| 500+ | US$1.270 |
| 1000+ | US$1.270 |
Thông Tin Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The IR2109SPBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Half-Bridge Driver with dependent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.
- Floating channel designed for bootstrap operation
- Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
- Under-voltage lockout for both channels
- 3.3, 5 and 15V Logic input compatible
- Cross-conduction prevention logic
- Matched propagation delay for both channels
- High-side output in phase with IN input
- Lower di/dt gate driver for better noise immunity
- Shut down input turns OFF both channels
Ứng Dụng
Industrial
Thông số kỹ thuật
2Channels
Half Bridge
8Pins
Surface Mount
200mA
10V
-40°C
750ns
-
MSL 2 - 1 year
-
MOSFET
SOIC
Non-Inverting
350mA
20V
125°C
200ns
-
No SVHC (25-Jun-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Thailand
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
RoHS
RoHS
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm