Trang in
IXGR40N60B2D1
IGBT, Isolated, 60 A, 1.9 V, 167 W, 600 V, TO-247AD, 3 Pins
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtIXYS SEMICONDUCTOR
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIXGR40N60B2D1
Mã Đặt Hàng1300115
Mã sản phẩm của bạn
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Ngưng sản xuất
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtIXYS SEMICONDUCTOR
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIXGR40N60B2D1
Mã Đặt Hàng1300115
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Continuous Collector Current60A
Collector Emitter Saturation Voltage1.9V
Power Dissipation167W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-247AD
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Sản phẩm thay thế cho IXGR40N60B2D1
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Thông số kỹ thuật
Continuous Collector Current
60A
Power Dissipation
167W
Transistor Case Style
TO-247AD
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.9V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Chờ thông báo
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.005