Trang in
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtMICRON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtMT46V64M8CY-5B:J
Mã Đặt Hàng4050858
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
458 có sẵn
Bạn cần thêm?
458 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Số Lượng | Giá |
---|---|
1+ | US$7.070 |
10+ | US$6.570 |
25+ | US$6.370 |
50+ | US$6.340 |
100+ | US$6.300 |
250+ | US$6.270 |
500+ | US$6.230 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$7.07
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtMICRON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtMT46V64M8CY-5B:J
Mã Đặt Hàng4050858
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
DRAM TypeDDR
Memory Density512Mbit
Memory Configuration64M x 8bit
Clock Frequency Max200MHz
IC Case / PackageFBGA
No. of Pins60Pins
Supply Voltage Nom2.6V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min0°C
Operating Temperature Max70°C
Product Range-
Tổng Quan Sản Phẩm
MT46V64M8CY-5B:J is a double data rate (DDR) SDRAM. It uses a double data rate architecture to achieve high-speed operation. This double data rate architecture is essentially for 2n-prefetch architecture with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. A single read or write access for the memory consists of a single 2n-bit-wide, one-clock cycle data transfer at the internal DRAM core and two corresponding n-bit-wide, one-half-clock-cycle data transfers at the I/O pins. It has an internal, pipelined double-data-rate (DDR) architecture with two data accesses per clock cycle.
- Operating voltage range is 2.5V to 2.7V
- 64Meg x 8 configuration
- Packaging style is 8mm x 12.5mm FBGA
- Timing (cycle time) is 5ns at CL = 3 (DDR400)
- Operating temperature range is 0°C to +70°C
- Clock rate is 200MHz, ᵗRAS lockout supported (ᵗRAP = ᵗRCD)
- Differential clock inputs (CK and CK#), four internal banks for concurrent operation
- Commands entered on each positive CK edge, concurrent auto precharge option is supported
- DQS edge-aligned with data for READs, centeraligned with data for WRITEs
- DLL to align DQ and DQS transitions with CK, auto refresh 64ms, 8192-cycle
Thông số kỹ thuật
DRAM Type
DDR
Memory Configuration
64M x 8bit
IC Case / Package
FBGA
Supply Voltage Nom
2.6V
Operating Temperature Min
0°C
Product Range
-
Memory Density
512Mbit
Clock Frequency Max
200MHz
No. of Pins
60Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
70°C
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Taiwan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Taiwan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001