Trang in
MT53E2G32D4DE-046 AIT:C
DRAM, AEC-Q100, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 2G x 32bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pins
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtMICRON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtMT53E2G32D4DE-046 AIT:C
Mã Đặt Hàng3935601
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
13 có sẵn
1,360 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
13 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$173.400 |
| 5+ | US$166.650 |
| 10+ | US$159.890 |
| 25+ | US$154.620 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$173.40
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtMICRON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtMT53E2G32D4DE-046 AIT:C
Mã Đặt Hàng3935601
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
DRAM TypeMobile LPDDR4
Memory Density64Gbit
Memory Configuration2G x 32bit
Clock Frequency Max2.133GHz
IC Case / PackageTFBGA
No. of Pins200Pins
Supply Voltage Nom1.1V
IC MountingSurface Mount
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max95°C
Product Range-
Tổng Quan Sản Phẩm
MT53E2G32D4DE-046 AIT:C is a automotive LPDDR4/LPDDR4X SDRAM. The 16Gb low-power DDR4 SDRAM (LPDDR4) or low VDDQ (LPDDR4X) is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This 8-bank device is internally configured with ×16 I/O. Each of the ×16 2,147,483,648-bit banks is organized as 131,072 rows by 1024 columns by 16 bits.
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), programmable and on-the-fly burst lengths (BL=16,32)
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- Up to 8.5GB/s per die, on-chip temperature sensor to control self refresh rate
- Partial-array self refresh (PASR), selectable output drive strength (DS), clock-stop capability
- Programmable VSS (ODT) termination, single-ended CK and DQS support
- AEC-Q100 qualified, 8GB (64Gb) total density, 4266Mb/s data rate per pin
- 200-ball TFBGA package
- Operating temperature rating range from -40°C to +95°C
Thông số kỹ thuật
DRAM Type
Mobile LPDDR4
Memory Configuration
2G x 32bit
IC Case / Package
TFBGA
Supply Voltage Nom
1.1V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
-
Memory Density
64Gbit
Clock Frequency Max
2.133GHz
No. of Pins
200Pins
IC Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
95°C
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Taiwan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Taiwan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.02268