Trang in
BCV27,215
Darlington Transistor, Dual NPN, 30 V, 250 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pins
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtBCV27,215
Mã Đặt Hàng2575141RL
Mã sản phẩm của bạn
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
2,050 có sẵn
3,000 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
2050 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.134 |
| 500+ | US$0.099 |
| 1500+ | US$0.088 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 5
US$13.40
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtBCV27,215
Mã Đặt Hàng2575141RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityDual NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo30V
Collector Emitter Voltage Max NPN30V
Power Dissipation Pd250mW
Collector Emitter Voltage Max PNP-
DC Collector Current500mA
Continuous Collector Current NPN500mA
RF Transistor CaseSOT-23
Continuous Collector Current PNP-
No. of Pins3Pins
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation NPN250mW
DC Current Gain hFE4000hFE
Power Dissipation PNP-
Transistor MountingSurface Mount
DC Current Gain hFE Min NPN4000hFE
Operating Temperature Max150°C
DC Current Gain hFE Min PNP-
Product Range-
Qualification-
Transition Frequency NPN220MHz
Transition Frequency PNP-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
BCV27,215 is a NPN darlington transistor in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
- Ideal for preamplifier input amplification
- Collector-base breakdown voltage is 40V min at IC = 100µA; IE = 0A; Tamb = 25°C
- Emitter-base breakdown voltage is 10V min at IC = 0A; IE = 100µA; Tamb = 25°C
- DC current gain is 4000 min at VCE = 5V; IC = 1mA; Tamb = 25°C
- Collector-emitter saturation voltage is 1V max at IC = 100mA; IB = 0.1mA; Tamb = 25°C
- Base-emitter turn-on voltage is 1.4V max at IC = 10mA; VCE = 5V; Tamb = 25°C
- SOT23 package
- Ambient temperature range from -65 to 150°C
- Total power dissipation is 250mW max at Tamb ≤ 25°C
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
Dual NPN
Collector Emitter Voltage Max NPN
30V
Collector Emitter Voltage Max PNP
-
Continuous Collector Current NPN
500mA
Continuous Collector Current PNP
-
Transistor Case Style
SOT-23
DC Current Gain hFE
4000hFE
Transistor Mounting
Surface Mount
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Transition Frequency NPN
220MHz
Automotive Qualification Standard
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
30V
Power Dissipation Pd
250mW
DC Collector Current
500mA
RF Transistor Case
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Power Dissipation NPN
250mW
Power Dissipation PNP
-
DC Current Gain hFE Min NPN
4000hFE
DC Current Gain hFE Min PNP
-
Qualification
-
Transition Frequency PNP
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản phẩm thay thế cho BCV27,215
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00002