Trang in
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtNEXPERIA
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtNGW75T65H3DFPQ
Mã Đặt Hàng4697665RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
449 có sẵn
Bạn cần thêm?
449 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 10+ | US$5.840 |
| 100+ | US$3.580 |
| 500+ | US$3.470 |
| 1000+ | US$3.410 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 10
Nhiều: 1
US$58.40
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Tổng Quan Sản Phẩm
NGW75T65H3DFPQ is a 650V, 75A trench field-stop IGBT with full rated silicon diode in a 3 pin TO-247 package. It is a robust Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuring third-generation technology. It combines carrier stored trench-gate and field-stop (FS) structures. The NGW75T65H3DFP is rated to 175 °C with optimized IGBT turn-off losses. This hard-switching 650V, 75A IGBT is optimized for high-voltage, high-frequency industrial power inverter applications and servo motor drive applications.
- Low conduction and switching losses
- Stable and tight parameters for easy parallel operation
- Fully rated and fast reverse recovery diode
- HV-H3TRB qualified
Thông số kỹ thuật
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Chờ thông báo
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001