HGTD1N120BNS9A
IGBT, 5.3 A, 2.5 V, 60 W, 1.2 kV, TO-252AA, 3 Pins
Bạn cần thêm?
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.849 |
| 500+ | US$0.683 |
Thông Tin Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The HGTD1N120BNS9A is a N-channel Non-punch Through (NPT) IGBT ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as UPS and solar inverter. It is new member of the MOS gated high voltage switching IGBT family. It combines the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor.
- Short-circuit rating
- Avalanche rated
- 2.5V @ IC = 1A Low saturation voltage
- 258ns Fall time @ TJ = 150°C
- 298W Total power dissipation @ TC = 25°C
Ứng Dụng
Power Management, Motor Drive & Control
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
5.3A
60W
TO-252AA
150°C
-
2.5V
1.2kV
3Pins
Surface Mount
Lead (27-Jun-2024)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
RoHS
RoHS
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm