Trang in
MJD122T4G
Darlington Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 20 W, 8 A, TO-252 (DPAK), 3 Pins
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtMJD122T4G
Mã Đặt Hàng2317578RL
Mã sản phẩm của bạn
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
11,047 có sẵn
Bạn cần thêm?
11047 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.609 |
| 500+ | US$0.502 |
| 1000+ | US$0.447 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 5
US$60.90
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtONSEMI
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtMJD122T4G
Mã Đặt Hàng2317578RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo100V
Collector Emitter Voltage Max100V
Continuous Collector Current8A
Power Dissipation Pd20W
DC Collector Current8A
Power Dissipation20W
RF Transistor CaseTO-252 (DPAK)
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE1000hFE
Transistor MountingSurface Mount
Transition Frequency4MHz
DC Current Gain hFE Min1000hFE
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The MJD122T4G is a 8A NPN bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. It is the surface-mount replacement for 2N6040 to 2N6045 series, TIP120 to TIP122 series and TIP125 to TIP127 series.
- Lead formed for surface-mount applications in plastic sleeves
- Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistors
- Complementary pairs simplifies designs
- AEC-Q101 qualified and PPAP capable
Ứng Dụng
Industrial, Power Management, Automotive
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
NPN
Collector Emitter Voltage Max
100V
Power Dissipation Pd
20W
Power Dissipation
20W
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
DC Current Gain hFE
1000hFE
Transition Frequency
4MHz
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (25-Jun-2025)
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
100V
Continuous Collector Current
8A
DC Collector Current
8A
RF Transistor Case
TO-252 (DPAK)
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
DC Current Gain hFE Min
1000hFE
Product Range
-
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản phẩm thay thế cho MJD122T4G
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Y-Ex
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:Lead (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00033