Trang in
GD150HFU120C2S
IGBT Module, Half Bridge, 280 A, 3.1 V, 1.147 kW, 125 °C, Module
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtSTARPOWER
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtGD150HFU120C2S
Mã Đặt Hàng3549229
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Không còn hàng
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtSTARPOWER
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtGD150HFU120C2S
Mã Đặt Hàng3549229
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
IGBT ConfigurationHalf Bridge
Continuous Collector Current280A
Collector Emitter Saturation Voltage3.1V
Power Dissipation1.147kW
Operating Temperature Max125°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyNPT Ultra Fast IGBT
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2020)
Tổng Quan Sản Phẩm
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
IGBT Configuration
Half Bridge
Collector Emitter Saturation Voltage
3.1V
Operating Temperature Max
125°C
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
NPT Ultra Fast IGBT
Product Range
-
Continuous Collector Current
280A
Power Dissipation
1.147kW
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (25-Jun-2020)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2020)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.2