Bạn cần thêm?
Số Lượng | Giá |
---|---|
10+ | US$7.810 |
25+ | US$7.360 |
50+ | US$7.070 |
100+ | US$6.840 |
250+ | US$6.630 |
Thông Tin Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
MASTERGAN4TR is an advanced power system-in-package integrating a gate driver and two enhancement mode GaN power transistors in half bridge configuration. The integrated power GaNs have 650 V drain-source blocking voltage and RDS(ON) of 225 mΩ, while the high side of the embedded gate driver can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. The MASTERGAN4TR features UVLO protection on both the lower and upper driving sections, preventing the power switches from operating in low efficiency or dangerous conditions, and the interlocking function avoids cross-conduction conditions. The extended range of the input pins allows easy interfacing with microcontrollers, DSP units or Hall effect sensors. The MASTERGAN4TR operates in the industrial temperature range, -40°C to 125°C. The device is available in a compact 9x9 mm QFN package.
- Reverse current capability
- Zero reverse recovery loss
- Dedicated pin for shutdown functionality
- Accurate internal timing match
- 3.3 V to 15V compatible inputs with hysteresis and pull-down
- Overtemperature protection
- Bill of material reduction
- Very compact and simplified layout
- Flexible, easy and fast design
Thông số kỹ thuật
2Channels
Half Bridge
GaN HEMT
-
-
-
-
-
-
9.5V
70ns
-
4.75V
9.5V
6.5A
QFN
QFN-EP
QFN
31Pins
-
4.75V
70ns
MSL 3 - 168 hours
No SVHC (21-Jan-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản phẩm thay thế cho MASTERGAN4TR
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Taiwan
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
RoHS
RoHS
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm