Trang in
STGB10NC60KDT4
IGBT, 10 A, 2.5 V, 60 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtSTMICROELECTRONICS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSTGB10NC60KDT4
Mã Đặt Hàng1456836
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtSTMICROELECTRONICS
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtSTGB10NC60KDT4
Mã Đặt Hàng1456836
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Continuous Collector Current10A
Collector Emitter Saturation Voltage2.5V
Power Dissipation60W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Operating Temperature Max150°C
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Tổng Quan Sản Phẩm
The STGB10NC60KDT4 is a short-circuit rugged IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low ON-state behaviour. It is suitable for SMPS and PFC in both hard switch and resonant topologies.
- Low on-voltage drop (VCE(sat))
- Low CRES/CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
- Very soft ultrafast recovery anti-parallel diode
- 10µs Short-circuit withstand time
Ứng Dụng
Motor Drive & Control, Power Management
Thông số kỹ thuật
Continuous Collector Current
10A
Power Dissipation
60W
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Transistor Mounting
Surface Mount
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5V
Collector Emitter Voltage Max
600V
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Chờ thông báo
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00138