Trang in
2N7002-7-F
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 210 mA, 13.5 ohm, SOT-23, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản Xuất2N7002-7-F
Mã Đặt Hàng1713823RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
277,251 có sẵn
Bạn cần thêm?
6180 Giao hàng trong 2 ngày làm việc(Singapore có sẵn)
226660 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
44411 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Mĩ có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 500+ | US$0.036 |
| 1500+ | US$0.035 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 500
Nhiều: 5
US$18.00
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản Xuất2N7002-7-F
Mã Đặt Hàng1713823RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id210mA
Drain Source On State Resistance13.5ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation370mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Tổng Quan Sản Phẩm
The 2N7002-7-F is a 60V N-channel enhancement mode Field Effect Transistor with matte tin-plated terminals. The terminals can solderable as per MIL-STD-202, method 208. This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS (on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. The case is made of molded plastic, "Green" molding compound (UL94V-0).
- Low on-resistance
- Low gate threshold voltage
- Low input capacitance
- Fast switching speed
- Low input/output leakage
- Halogen and antimony-free
- Green device
- Qualified to AEC-Q101 standards for high reliability
Ứng Dụng
Motor Drive & Control, Power Management, Aerospace, Defence, Military
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
210mA
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
370mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
13.5ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản phẩm thay thế cho 2N7002-7-F
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000008