Trang in
BS250P
MOSFET, P-CH, 45V, 0.23A, 150DEG C, 0.7W
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtBS250P
Mã Đặt Hàng3405170
Mã sản phẩm của bạn
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
1,722 có sẵn
Bạn cần thêm?
172 Giao hàng trong 2 ngày làm việc(Singapore có sẵn)
1550 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.861 |
| 50+ | US$0.556 |
| 250+ | US$0.482 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 5
Nhiều: 5
US$4.30
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtBS250P
Mã Đặt Hàng3405170
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds45V
Continuous Drain Current Id230mA
Drain Source On State Resistance14ohm
Transistor Case StyleE-Line
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation700mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
BS250P is a P-channel enhancement mode vertical DMOS FET.
- Drain-source breakdown voltage is -45V at ID=-100µA, VGS=0V, TA=+25°C
- Gate-source threshold voltage is -3.5V at ID=-1mA, VDS=VGS, TA=+25°C
- Zero gate voltage drain current is -500nA max VGS=0V, VDS=-25V, TA=+25°C
- Static drain-source on-state resistance is 14ohm max at VGS=-10V, ID=-200mA, TA=+25°C
- Forward transconductance is 150ms typ at VDS=-10V, ID=-200mA, TA=+25°C
- Input capacitance is 60pF typ at VGS=0V, VDS=-10V, f=1.0MHz, TA=+25°C
- Turn-on/off time is 20ns max at VDD=-25V, ID=-500mA, TA=+25°C
- Power dissipation at TA=+25°C is 700mW
- E-Line package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Thông số kỹ thuật
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
230mA
Transistor Case Style
E-Line
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
700mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
45V
Drain Source On State Resistance
14ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.001361