Trang in
DMC2990UDJ-7
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.6 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDMC2990UDJ-7
Mã Đặt Hàng3577043RL
Mã sản phẩm của bạn
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
965 có sẵn
10,000 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
965 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 50+ | US$0.229 |
| 250+ | US$0.172 |
| 1000+ | US$0.139 |
| 5000+ | US$0.120 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 5
US$22.90
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDMC2990UDJ-7
Mã Đặt Hàng3577043RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeComplementary N and P Channel
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Continuous Drain Current Id450mA
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel450mA
On Resistance Rds(on)0.6ohm
Continuous Drain Current Id P Channel450mA
Drain Source On State Resistance N Channel0.6ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.6ohm
Transistor Case StyleSOT-963
Gate Source Threshold Voltage Max1V
No. of Pins6Pins
Power Dissipation Pd350mW
Power Dissipation N Channel350mW
Power Dissipation P Channel350mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id
450mA
Continuous Drain Current Id N Channel
450mA
Continuous Drain Current Id P Channel
450mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
0.6ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
350mW
Power Dissipation P Channel
350mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
On Resistance Rds(on)
0.6ohm
Drain Source On State Resistance N Channel
0.6ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOT-963
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation N Channel
350mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0002