Trang in
DMN63D8LDWQ-7
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDMN63D8LDWQ-7
Mã Đặt Hàng3944132RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
6,350 có sẵn
Bạn cần thêm?
6350 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 500+ | US$0.057 |
| 1000+ | US$0.050 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 500
Nhiều: 5
US$28.50
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtDMN63D8LDWQ-7
Mã Đặt Hàng3944132RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id220mA
On Resistance Rds(on)2.8ohm
Continuous Drain Current Id N Channel220mA
Continuous Drain Current Id P Channel220mA
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel2.8ohm
Drain Source On State Resistance P Channel2.8ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOT-363
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation Pd400mW
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel400mW
Power Dissipation P Channel400mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
On Resistance Rds(on)
2.8ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
220mA
Drain Source On State Resistance N Channel
2.8ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
400mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id
220mA
Continuous Drain Current Id N Channel
220mA
Transistor Mounting
Surface Mount
Drain Source On State Resistance P Channel
2.8ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation Pd
400mW
Power Dissipation N Channel
400mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001