Trang in
ZXM61N03F
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 1.4 A, 0.22 ohm, SOT-23, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtZXM61N03F
Mã Đặt Hàng9525289
Mã sản phẩm của bạn
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
1,233 có sẵn
3,000 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
1233 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.528 |
| 50+ | US$0.362 |
| 100+ | US$0.260 |
| 500+ | US$0.213 |
| 1500+ | US$0.185 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 5
Nhiều: 5
US$2.64
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtZXM61N03F
Mã Đặt Hàng9525289
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1.4A
Drain Source On State Resistance0.22ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation625mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
ZXM61N03F is a N-channel enhancement mode MOSFET. It utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes it ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. Typical applications include DC - DC converters, power management functions, disconnect switches and motor control.
- Low on-resistance, fast switching speed
- Low gate drive, low threshold
- Drain-source voltage is 30V
- Gate-source voltage is ±20V
- Continuous drain current is 1.4A at TA=+25°C, VGS=10V
- Drain-source breakdown voltage is 30V min at ID=-250µA, VGS=0V, TA = 25°C
- Gate-source threshold voltage is 1V min at ID=-250µA, VDS= VGS, TA = 25°C
- Static drain-source on-state resistance is 0.22ohm max at VGS=10V, ID=0.91A, TA = 25°C
- SOT23 package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.4A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
625mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.22ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản phẩm thay thế cho ZXM61N03F
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000033