Trang in
ZXM61P03F
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 1.1 A, 0.35 ohm, SOT-23, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtZXM61P03F
Mã Đặt Hàng9525300
Mã sản phẩm của bạn
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
10,208 có sẵn
Bạn cần thêm?
10208 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.444 |
| 10+ | US$0.313 |
| 100+ | US$0.225 |
| 500+ | US$0.188 |
| 1000+ | US$0.165 |
| 5000+ | US$0.165 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 5
Nhiều: 5
US$2.22
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtZXM61P03F
Mã Đặt Hàng9525300
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1.1A
Drain Source On State Resistance0.35ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation625mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
ZXM61P03F is a P-channel enhancement mode MOSFET. It utilizes a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes it ideal for high efficiency, low voltage, power management applications. Typical applications include DC - DC converters, power management functions, disconnect switches and motor control.
- Low on-resistance, fast switching speed
- Low gate drive, low threshold
- Drain-source voltage is -30V
- Gate-source voltage is ±20V
- Continuous drain current is -1.1A at TA=+25°C, VGS=-10V
- Drain-source breakdown voltage is -30V min at ID=-250µA, VGS=0V, Tamb = 25°C
- Gate-source threshold voltage is -1.0V min at ID=-250µA, VDS= VGS, Tamb = 25°C
- Static drain-source on-state resistance is 0.35ohm max at VGS=-10V, ID=-0.6A, Tamb = 25°C
- SOT23 package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Thông số kỹ thuật
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.1A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
625mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.35ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000033