Trang in
ZXMHC6A07N8TC
Dual MOSFET, Complementary Dual N and Dual P Channel, 60 V, 60 V, 1.39 A, 1.39 A, 0.25 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtZXMHC6A07N8TC
Mã Đặt Hàng3944184RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
5,214 có sẵn
Bạn cần thêm?
5214 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.630 |
| 500+ | US$0.521 |
| 1000+ | US$0.519 |
| 5000+ | US$0.516 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$63.00
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtDIODES INC.
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtZXMHC6A07N8TC
Mã Đặt Hàng3944184RL
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityComplementary Dual N and Dual P Channel
Channel TypeComplementary Dual N and Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Continuous Drain Current Id1.39A
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
On Resistance Rds(on)0.25ohm
Continuous Drain Current Id N Channel1.39A
Continuous Drain Current Id P Channel1.39A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.25ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Drain Source On State Resistance P Channel0.25ohm
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max3V
No. of Pins8Pins
Power Dissipation Pd870mW
Power Dissipation N Channel870mW
Power Dissipation P Channel870mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification Standard-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
Complementary Dual N and Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id
1.39A
On Resistance Rds(on)
0.25ohm
Continuous Drain Current Id P Channel
1.39A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.25ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.25ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
870mW
Power Dissipation P Channel
870mW
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
-
Channel Type
Complementary Dual N and Dual P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
1.39A
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation N Channel
870mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001