Trang in
1ED2127S65FXUMA1
Gate Driver, 1 Channels, Non-Isolated, High Side, IGBT, SiC MOSFET, 8 Pins, SOIC
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản Xuất1ED2127S65FXUMA1
Mã Đặt Hàng4695797
Được Biết Đến Như1ED2127S65F, SP005826769
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Có thể đặt mua
đăng kí quan tâm tại đây
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$1.380 |
| 10+ | US$0.914 |
| 50+ | US$0.863 |
| 100+ | US$0.812 |
| 250+ | US$0.763 |
| 500+ | US$0.734 |
| 1000+ | US$0.733 |
| 2500+ | US$0.732 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$1.38
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản Xuất1ED2127S65FXUMA1
Mã Đặt Hàng4695797
Được Biết Đến Như1ED2127S65F, SP005826769
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
No. of Channels1Channels
Gate Driver TypeNon-Isolated
Driver ConfigurationHigh Side
Power Switch TypeIGBT, SiC MOSFET
No. of Pins8Pins
IC Case / PackageSOIC
IC MountingSurface Mount
Input TypeLogic
Source Current4A
Sink Current-4A
Supply Voltage Min9.2V
Supply Voltage Max22V
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max125°C
Input Delay55ns
Output Delay55ns
Product Range-
Qualification-
Tổng Quan Sản Phẩm
1ED2127S65FXUMA1 is a 1ED21x7x family 650V high-side gate driver with overcurrent protection (OCP), multi-function RCIN/Fault/Enable (RFE) and integrated bootstrap diode (BSD). The over-current protection and under-voltage lockout circuit detects over-current / under-voltage in the driven power transistor and terminates the gate drive voltage. An open-drain FAULT signal is provided to indicate that an over-current shutdown has occurred. Potential applications include motor drives, general purpose inverters, Forklift, and light electric vehicles.
- Infineon thin-film-SOI-technology
- Integrated ultra-fast, low RDS(ON) bootstrap diode
- Negative VS transient immunity of 100V
- Detection of overcurrent and under voltage supply
- Multi-function RCIN/fault/enable (RFE) with programmable fault clear time
- High-side floating well supply offset voltage is 650V max at TA =25°C
- VCC quiescent supply current is 400µA max at (VCC– COM) = (VB – VS) = 15V and TA = 25°C
- IGBT / SiC MOSFET target transistor
- PG-DSO-8 package
- Ambient temperature range from -40 to 125°C
Thông số kỹ thuật
No. of Channels
1Channels
Driver Configuration
High Side
No. of Pins
8Pins
IC Mounting
Surface Mount
Source Current
4A
Supply Voltage Min
9.2V
Operating Temperature Min
-40°C
Input Delay
55ns
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Gate Driver Type
Non-Isolated
Power Switch Type
IGBT, SiC MOSFET
IC Case / Package
SOIC
Input Type
Logic
Sink Current
-4A
Supply Voltage Max
22V
Operating Temperature Max
125°C
Output Delay
55ns
Qualification
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Thailand
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Thailand
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001