BFP640H6327XTSA1
Bipolar - RF Transistor, NPN, 4.5 V, 40 GHz, 200 mW, 50 mA, SOT-343
Bạn cần thêm?
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.628 |
| 50+ | US$0.519 |
| 100+ | US$0.409 |
| 500+ | US$0.284 |
| 1500+ | US$0.279 |
Thông Tin Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The BFP 640 H6327 is a NPN low-noise Bipolar RF Transistor based on Infineon's reliable high volume silicon germanium carbon hetero-junction bipolar technology. With its high linearity at currents as low as 10mA this device supports energy efficient designs. The typical transition frequency is approximately 40GHz, hence the device offers high power gain at frequencies up to 8GHz in amplifier applications. The device is housed in an easy to use plastic package with visible leads.
- Linear low-noise wide band transistor
- High linearity
- High transition frequency
- Low power consumption
- Easy to use
- Halogen-free
Ứng Dụng
Industrial, RF Communications, Power Management
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
NPN
40GHz
50mA
4Pins
Surface Mount
-
MSL 1 - Unlimited
4.5V
200mW
SOT-343
110hFE
150°C
AEC-Q101
No SVHC (25-Jun-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
RoHS
RoHS
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm