Trang in
BSZ215CHXTMA1
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.041 ohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtBSZ215CHXTMA1
Mã Đặt Hàng3294674RL
Phạm vi sản phẩmOptiMOS 2 Series
Được Biết Đến NhưBSZ215C H, SP001277210
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
24,348 có sẵn
Bạn cần thêm?
24348 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$0.895 |
| 500+ | US$0.661 |
| 1000+ | US$0.583 |
| 5000+ | US$0.555 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$89.50
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtBSZ215CHXTMA1
Mã Đặt Hàng3294674RL
Phạm vi sản phẩmOptiMOS 2 Series
Được Biết Đến NhưBSZ215C H, SP001277210
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Transistor PolarityComplementary N and P Channel
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id5.1A
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel5.1A
On Resistance Rds(on)0.041ohm
Continuous Drain Current Id P Channel5.1A
Transistor MountingSurface Mount
Drain Source On State Resistance N Channel0.041ohm
Rds(on) Test Voltage4.5V
Drain Source On State Resistance P Channel0.041ohm
Transistor Case StyleTSDSON
Gate Source Threshold Voltage Max1.1V
Power Dissipation Pd2.5W
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.5W
Power Dissipation P Channel2.5W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 2 Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Thông số kỹ thuật
Transistor Polarity
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id
5.1A
Continuous Drain Current Id N Channel
5.1A
Continuous Drain Current Id P Channel
5.1A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.041ohm
Drain Source On State Resistance P Channel
0.041ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
1.1V
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.5W
Product Range
OptiMOS 2 Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
On Resistance Rds(on)
0.041ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
TSDSON
Power Dissipation Pd
2.5W
Power Dissipation N Channel
2.5W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000109