Bạn cần thêm?
Số Lượng | Giá |
---|---|
1+ | US$5.700 |
10+ | US$4.090 |
25+ | US$3.810 |
50+ | US$3.580 |
100+ | US$3.350 |
250+ | US$3.180 |
500+ | US$2.850 |
1000+ | US$2.650 |
Thông Tin Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The BTS640S2G is a N-channel high-side vertical Power FET Switch with charge pump, ground referenced CMOS compatible input and diagnostic feedback and proportional sense of load current, monolithically integrated in smart SIPMOS® technology. It provides embedded protective functions, under-voltage and overvoltage shutdown with auto-restart and hysteresis.
- Short-circuit protection
- Current limitation
- Proportional load current sense
- CMOS compatible input
- Open drain diagnostic output
- Fast demagnetization of inductive loads
- Overload protection
- Thermal shutdown
- Overvoltage protection including load dump
- Reverse battery protection
- Loss of ground and loss of VBB protection
- Electrostatic discharge (ESD) protection
- High voltage capability
- Benchmark energy robustness
Ứng Dụng
Industrial, Computers & Computer Peripherals, Automotive
Cảnh Báo
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device. Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
High Side
34V
0.03ohm
7Pins
Active High
-40°C
AEC-Q100
MSL 3 - 168 hours
AEC-Q100
1Channels
24A
TO-263 (D2PAK)
Yes
1Outputs
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
TO-263 (D2PAK)
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
RoHS
RoHS
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm