Trang in
FF6MR12W2M1B70BPSA1
Silicon Carbide MOSFET, Half Bridge, N Channel, 200 A, 1.2 kV, 0.00563 ohm, Module
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFF6MR12W2M1B70BPSA1
Mã Đặt Hàng3755140
Phạm vi sản phẩmCoolSiC Trench
Được Biết Đến NhưSP004486482, FF6MR12W2M1_B70
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Ngưng sản xuất
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtFF6MR12W2M1B70BPSA1
Mã Đặt Hàng3755140
Phạm vi sản phẩmCoolSiC Trench
Được Biết Đến NhưSP004486482, FF6MR12W2M1_B70
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.00563ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins38Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolSiC Trench
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Thông số kỹ thuật
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
200A
Drain Source On State Resistance
0.00563ohm
No. of Pins
38Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
-
Product Range
CoolSiC Trench
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00542