Trang in
IAUC90N10S5N062ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 90 A, 5200 µohm, TDSON, Surface Mount
9,535 có sẵn
Bạn cần thêm?
1100 Giao hàng trong 2 ngày làm việc(Singapore có sẵn)
8435 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$2.780 |
| 10+ | US$1.770 |
| 100+ | US$1.230 |
| 500+ | US$1.010 |
| 1000+ | US$0.890 |
| 5000+ | US$0.760 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$2.78
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIAUC90N10S5N062ATMA1
Mã Đặt Hàng3577312
Phạm vi sản phẩmOptiMOS 5
Được Biết Đến NhưIAUC90N10S5N062, SP001468520
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id90A
Drain Source On State Resistance5200µohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation115W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 5
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
IAUC90N10S5N062ATMA1 is an OptiMOS™-5 power MOSFET for automotive applications. Typical applications are diesel direct injection, domain controller for ADAS and autonomous driving, high-voltage DC-DC converter for electric vehicles, multi-purpose camera, space applications.
- N-channel - enhancement mode - normal level
- AEC Q101 qualified, 100% avalanche tested
- Enhanced testing, advanced adhesion against delamination
- Complementary testing for board level reliability
- Feasible for automatic optical inspection (AOI)
- PG-TDSON-8 package
- Continuous drain current is 90A at TC=25°C, VGS=10V, Tj=25°C
- Drain-source breakdown voltage is 100V at VGS=0V, ID= 1mA, Tj=25°C
- Drain-source on-state resistance is 6.2mohm at VGS=10V, ID=45A, Tj=25°C
- PG-TDSON-8 package, -55 to +175°C operating and storage temperature
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
115W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
5200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 5
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0001