Trang in
IGC033S101XTMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 100 V, 76 A, 0.0033 ohm, 11 nC, VSON, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
2,498 có sẵn
Bạn cần thêm?
2498 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 100+ | US$1.950 |
| 500+ | US$1.860 |
| 1000+ | US$1.780 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 100
Nhiều: 1
US$195.00
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIGC033S101XTMA1
Mã Đặt Hàng4640390RL
Được Biết Đến NhưIGC033S101, SP005751570
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id76A
Drain Source On State Resistance0.0033ohm
Typical Gate Charge11nC
No. of Pins6Pins
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
IGC033S101XTMA1 is a CoolGaN™ G3 100V, 2.4mohm normally-off e-mode power transistor, enabling high power density designs. It is the ideal choice for reliable performance in demanding high-voltage and high-current applications. Suitable for telecom & datacentre 48V IBC, sync rectification for AC‑DC and DC‑DC converters, robotics and drones, battery powered tools, 48V servo drive, e‑Mobility, UAVs, Class D audio, solar & energy storage systems, point of load converters applications.
- High switching frequency
- No reverse recovery charge
- Reverse conduction capability
- Low gate charge, low output charge and qualified according to JEDEC
- Best-in-class power density, highest efficiency, excellent reliability, lowering BOM cost
- Improved thermal management
- Enabling smaller and lighter designs
- 120V max pulsed drain‑source voltage at VGS=0V, 1h total time
- 76A max continuous drain current at Vgs=5V, T =25°C
- 6 pin VSON package, junction temperature range from ‑40 to 150°C
Thông số kỹ thuật
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0033ohm
No. of Pins
6Pins
Continuous Drain Current Id
76A
Typical Gate Charge
11nC
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00001