Trang in
IGLD65R055D2AUMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIGLD65R055D2AUMA1
Mã Đặt Hàng4680830RL
Được Biết Đến NhưIGLD65R055D2, SP005825087
Mã sản phẩm của bạn
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
2,260 có sẵn
Bạn cần thêm?
2260 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 10+ | US$5.150 |
| 100+ | US$4.160 |
| 500+ | US$3.710 |
| 1000+ | US$3.360 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 10
Nhiều: 1
US$51.50
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIGLD65R055D2AUMA1
Mã Đặt Hàng4680830RL
Được Biết Đến NhưIGLD65R055D2, SP005825087
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Typical Gate Charge4.7nC
No. of Pins8Pins
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Thông số kỹ thuật
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
No. of Pins
8Pins
Continuous Drain Current Id
20A
Typical Gate Charge
4.7nC
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Chờ thông báo
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000001