Bạn cần thêm?
Số Lượng | Giá |
---|---|
1+ | US$7.290 |
10+ | US$6.120 |
100+ | US$4.490 |
500+ | US$4.270 |
1000+ | US$4.040 |
Thông Tin Sản Phẩm
Tổng Quan Sản Phẩm
The IKW75N60T is a 600V Discrete IGBT with very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode. TRENCHSTOP™ IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses. Discrete IGBT is ideal for hard switching applications as well as soft switching applications and other resonant applications.
- Lowest Vce (sat) drop for lower conduction losses
- Low switching losses
- Easy to parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vce (sat)
- High ruggedness, temperature stable behaviour
- Low EMI emissions
- Low gate charge
- Very tight parameter distribution
- Highest efficiency
- Low conduction and switching losses
Ứng Dụng
Power Management, Alternative Energy, Industrial
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
80A
428W
TO-247
175°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
2V
600V
3Pins
Through Hole
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 4 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Germany
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
RoHS
RoHS
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm