Trang in
IMZA120R007M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 225 A, 1.2 kV, 7000 µohm, TO-247
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIMZA120R007M1HXKSA1
Mã Đặt Hàng3958244
Phạm vi sản phẩmCoolSiC Trench Series
Được Biết Đến NhưSP005425973, IMZA120R007M1H
Mã sản phẩm của bạn
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
393 có sẵn
Bạn cần thêm?
393 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$46.450 |
| 5+ | US$42.330 |
| 10+ | US$38.200 |
| 50+ | US$37.440 |
| 100+ | US$37.200 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$46.45
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIMZA120R007M1HXKSA1
Mã Đặt Hàng3958244
Phạm vi sản phẩmCoolSiC Trench Series
Được Biết Đến NhưSP005425973, IMZA120R007M1H
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id225A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance7000µohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.2V
Power Dissipation750W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Trench Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
IMZA120R007M1HXKSA1 is a CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET. Potential applications include general purpose drives (GPD), EV charging, online UPS/industrial UPS, string inverter, solar power optimizer.
- Very low switching losses
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.2V
- Robust against parasitic turn on, 0V turn-off gate voltage can be applied
- Robust body diode for hard commutation
- .XT interconnection technology for best-in-class thermal performance
- Qualified for industrial applications according to the relevant tests of JEDEC47/20/22
- Drain-source voltage is 1200V at Tvj ≥ 25°C
- Drain-source on-state resistance is 7mohm typ at Tvj = 25°C, VGS(on) = 18V, ID = 108A
- PG-TO247-4-U02 package
- Storage temperature range from -55 to 150°C
Thông số kỹ thuật
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
225A
Drain Source On State Resistance
7000µohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.2V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
750W
Product Range
CoolSiC Trench Series
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 4 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.008081