Trang in
IPB019N08N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 180 A, 1900 µohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIPB019N08N3GATMA1
Mã Đặt Hàng1775520
Được Biết Đến NhưIPB019N08N3 G, SP000444110
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
24 có sẵn
Bạn cần thêm?
24 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$6.320 |
| 10+ | US$4.840 |
| 100+ | US$3.920 |
| 500+ | US$3.500 |
| 1000+ | US$2.970 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$6.32
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIPB019N08N3GATMA1
Mã Đặt Hàng1775520
Được Biết Đến NhưIPB019N08N3 G, SP000444110
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id180A
Drain Source On State Resistance1900µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation300W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The IPB019N08N3 G is an OptiMOS™ 3 N-channel Power Transistor with superior thermal resistance, excellent gate charge x R DS (ON) product (FOM) and dual-sided cooling. Optimized technology for DC/DC converters.
- Excellent gate charge
- Very low on resistance
- 100% Avalanche tested
- Low parasitic inductance
- Halogen-free
Ứng Dụng
Power Management, Consumer Electronics, Communications & Networking, Motor Drive & Control
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
180A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
1900µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
7Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản phẩm thay thế cho IPB019N08N3GATMA1
Tìm Thấy 2 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.002