Trang in
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIPB600N25N3GATMA1
Mã Đặt Hàng2443388
Được Biết Đến NhưIPB600N25N3 G, SP000676408
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
966 có sẵn
Bạn cần thêm?
966 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
Số Lượng | Giá |
---|---|
1+ | US$3.620 |
10+ | US$2.360 |
50+ | US$1.850 |
200+ | US$1.710 |
500+ | US$1.560 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$3.62
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIPB600N25N3GATMA1
Mã Đặt Hàng2443388
Được Biết Đến NhưIPB600N25N3 G, SP000676408
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation136W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The IPB600N25N3 G is a N-channel Power MOSFET produce based on OptiMOS™ leading benchmark technology. It is perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-to-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters.
- Industry's lowest RDS (ON)
- Lowest Qg and Qgd
- World's lowest FOM, MSL 1 rated
- Highest efficiency
- Highest Power density
- Minimal device paralleling required
- Environmentally friendly
- Easy-to-design-in products
- Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
- Qualified according to JEDEC for target application
- Halogen-free, Green device
Ứng Dụng
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial, Lighting, Audio
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
25A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
136W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00181