Trang in
IPG20N04S4L08ATMA1
Dual MOSFET, N Channel, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 7200 µohm
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIPG20N04S4L08ATMA1
Mã Đặt Hàng2480842
Được Biết Đến NhưIPG20N04S4L-08, SP000705576
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
32,635 có sẵn
Bạn cần thêm?
32635 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$1.320 |
| 10+ | US$1.050 |
| 100+ | US$0.735 |
| 500+ | US$0.535 |
| 1000+ | US$0.512 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$1.32
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIPG20N04S4L08ATMA1
Mã Đặt Hàng2480842
Được Biết Đến NhưIPG20N04S4L-08, SP000705576
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel40V
Continuous Drain Current Id N Channel20A
Continuous Drain Current Id P Channel20A
Drain Source On State Resistance N Channel7200µohm
Drain Source On State Resistance P Channel7200µohm
Transistor Case StyleTDSON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel54W
Power Dissipation P Channel54W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The IPG20N04S4L-08 is an OptiMOS™-T2 dual N-channel enhancement-mode Power Transistor for small loads control switching and body applications.
- Logic level
- Green device
- 100% Avalanche tested
- Larger source lead-frame connection for wire bonding
- Same thermal and electrical performance as a DPAK with the same die size
- Exposed pad provides excellent thermal transfer (varies by die size)
Ứng Dụng
Industrial, Power Management
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
20A
Drain Source On State Resistance P Channel
7200µohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
54W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Continuous Drain Current Id N Channel
20A
Drain Source On State Resistance N Channel
7200µohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation N Channel
54W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.0005