Trang in
IPP020N06NAKSA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 120 A, 1800 µohm, TO-220, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIPP020N06NAKSA1
Mã Đặt Hàng2443402
Được Biết Đến NhưIPP020N06N, SP000917406
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
411 có sẵn
Bạn cần thêm?
411 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$3.790 |
| 10+ | US$2.440 |
| 100+ | US$1.940 |
| 500+ | US$1.810 |
| 1000+ | US$1.660 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$3.79
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIPP020N06NAKSA1
Mã Đặt Hàng2443402
Được Biết Đến NhưIPP020N06N, SP000917406
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance1800µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation214W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The IPP020N06N is a N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). In addition it is a perfect choice for a broad range of industrial applications including solar micro inverter and fast switching DC-to-DC converter.
- 40% Improvement of FOM over similar devices
- MSL1 rated
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Very low voltage overshoot
- 100% Avalanche tested
- Superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
Ứng Dụng
Power Management, Motor Drive & Control, Consumer Electronics, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Portable Devices, Industrial
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
214W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
1800µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Sản phẩm thay thế cho IPP020N06NAKSA1
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 5 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.003184