Trang in
IPP023NE7N3GXKSA1
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 120 A, 2300 µohm, TO-220, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIPP023NE7N3GXKSA1
Mã Đặt Hàng2212851
Được Biết Đến NhưIPP023NE7N3 G, SP000641722
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
521 có sẵn
Bạn cần thêm?
521 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$4.070 |
| 10+ | US$2.670 |
| 100+ | US$2.040 |
| 500+ | US$1.730 |
| 1000+ | US$1.720 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$4.07
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIPP023NE7N3GXKSA1
Mã Đặt Hàng2212851
Được Biết Đến NhưIPP023NE7N3 G, SP000641722
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id120A
Drain Source On State Resistance2300µohm
Transistor Case StyleTO-220
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.1V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The IPP023NE7N3 G is a N-channel Power MOSFET with OptiMOS™ technology specializes in synchronous rectification applications. Based on the leading 80V technology these 75V products feature simultaneously lowest ON-state resistances and superior switching performance.
- World's lowest RDS (ON)
- Very low Qg and Qgd
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- MSL1 rated
- Increased efficiency
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy-to-design products
- Ideal for high frequency switching and DC-to-DC converters
- Normal level
- 100% avalanche tested
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Green device
Ứng Dụng
Power Management, Motor Drive & Control, Audio, Communications & Networking
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
120A
Transistor Case Style
TO-220
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
2300µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
3.1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Malaysia
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.003184