Trang in
IRF530NPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-220AB, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRF530NPBF
Mã Đặt Hàng8648263
Phạm vi sản phẩmHEXFET Series
Được Biết Đến NhưSP001570120
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
2,816 có sẵn
6,000 Bạn có thể đặt trước hàng ngay bây giờ
226 Giao hàng trong 2 ngày làm việc(Singapore có sẵn)
2590 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$0.980 |
| 10+ | US$0.699 |
| 100+ | US$0.580 |
| 500+ | US$0.436 |
| 1000+ | US$0.350 |
| 5000+ | US$0.349 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$0.98
Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRF530NPBF
Mã Đặt Hàng8648263
Phạm vi sản phẩmHEXFET Series
Được Biết Đến NhưSP001570120
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source On State Resistance0.09ohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation63W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The IRF530NPBF from Infineon is a 100V single N channel HEXFET power MOSFET in a TO-220AB package. This MOSFET features extremely low on-resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, rugged, fast switching and is fully avalanche rated. As a result, these power MOSFETs are known to provide extreme efficiency and reliability which can be used in a wide variety of applications.
- Drain to source voltage Vds is 100V
- Gate to source voltage is ±20V
- On resistance Rds(on) of 90mohm at Vgs of 10V
- Power dissipation Pd of 70W at 25°C
- Continuous drain current Id of 17A at Vgs 10V and 25°C
- Operating junction temperature range from -55°C to 175°C
Ứng Dụng
Power Management, Industrial, Portable Devices, Consumer Electronics
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
17A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
63W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.09ohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản phẩm thay thế cho IRF530NPBF
Tìm Thấy 1 Sản Phẩm
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 3 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:China
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.001814