Trang in
IRF6645TRPBF
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Surface Mount
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRF6645TRPBF
Mã Đặt Hàng2725892
Phạm vi sản phẩmHEXFET Series
Được Biết Đến NhưSP001562050
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
7,100 có sẵn
Bạn cần thêm?
7100 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 5+ | US$0.718 |
| 50+ | US$0.609 |
| 250+ | US$0.590 |
| 1000+ | US$0.571 |
| 2000+ | US$0.557 |
Giá cho:Each (Supplied on Cut Tape)
Tối thiểu: 5
Nhiều: 5
US$3.59
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRF6645TRPBF
Mã Đặt Hàng2725892
Phạm vi sản phẩmHEXFET Series
Được Biết Đến NhưSP001562050
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source On State Resistance0.035ohm
Transistor Case StyleDirectFET SJ
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.9V
Power Dissipation42W
No. of Pins7Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeHEXFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
Single N-channel strongIRFET™ power MOSFET in a DirectFET™ SJ package suitable for use in power supplies and isolated DC-DC converters.
- Optimized for synchronous rectification
- Application specific MOSFET
- Product qualification according to JEDEC standard
- High-current rating
- Dual-side cooling capability
- High power density
- Optimum thermal performance
- Compact form factor
- High efficiency
- Environmentally friendly
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
25A
Transistor Case Style
DirectFET SJ
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
42W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.035ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4.9V
No. of Pins
7Pins
Product Range
HEXFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Tài Liệu Kỹ Thuật (1)
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Mexico
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Mexico
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.000121