Trang in
IRFB3077PBF
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Through Hole
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRFB3077PBF
Mã Đặt Hàng1298539
Được Biết Đến NhưSP001575594
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
206 có sẵn
Bạn cần thêm?
206 Giao hàng trong 4-6 ngày làm việc(Vương quốc Anh có sẵn)
| Số Lượng | Giá |
|---|---|
| 1+ | US$3.580 |
| 10+ | US$2.430 |
| 100+ | US$2.280 |
| 500+ | US$1.890 |
| 1000+ | US$1.830 |
Giá cho:Each
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
US$3.58
Nhập Mã Số Linh Kiện / Ghi chú dòng
Chỉ thêm phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn và Ghi chú giao hàng cho đơn hàng này.
Mã số này sẽ được thêm vào phần Xác nhận đơn hàng, Hóa đơn, Ghi chú giao hàng, Email xác nhận trên web và Nhãn sản phẩm.
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRFB3077PBF
Mã Đặt Hàng1298539
Được Biết Đến NhưSP001575594
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id210A
Drain Source On State Resistance3300µohm
Transistor Case StyleTO-220AB
Transistor MountingThrough Hole
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation370W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Tổng Quan Sản Phẩm
The IRFB3077PBF is a 75V single N-channel HEXFET® Power MOSFET with extremely low on-resistance per silicon area and fast switching performance using Trench MOSFET technology. Suitable for high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.
- Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance and avalanche SOA
- Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Ứng Dụng
Power Management
Cảnh Báo
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Thông số kỹ thuật
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
210A
Transistor Case Style
TO-220AB
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
370W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
3300µohm
Transistor Mounting
Through Hole
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Tài Liệu Kỹ Thuật (3)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 4 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Mexico
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Mexico
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Có
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.00195