Trang in
IRGB30B60KPBF
IGBT, 78 A, 2.35 V, 370 W, 600 V, TO-220AB, 3 Pins
Hình ảnh chỉ mang tính minh họa. Vui lòng xem phần mô tả sản phẩm.
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRGB30B60KPBF
Mã Đặt Hàng8659591
Được Biết Đến NhưSP001546084
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Ngưng sản xuất
Thông Tin Sản Phẩm
Nhà Sản XuấtINFINEON
Mã Số Linh Kiện Nhà Sản XuấtIRGB30B60KPBF
Mã Đặt Hàng8659591
Được Biết Đến NhưSP001546084
Bảng Dữ Liệu Kỹ Thuật
Continuous Collector Current78A
Collector Emitter Saturation Voltage2.35V
Power Dissipation370W
Collector Emitter Voltage Max600V
Transistor Case StyleTO-220AB
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Tổng Quan Sản Phẩm
The IRGB30B60KPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor features low VCE (on) non-punch through IGBT technology and rugged transient performance.
- Square RBSOA
- Positive VCE (on) temperature coefficient
- Low EMI
- Excellent current sharing in parallel operation
- 10µs Short-circuit capability
Ứng Dụng
Consumer Electronics, Power Management
Thông số kỹ thuật
Continuous Collector Current
78A
Power Dissipation
370W
Transistor Case Style
TO-220AB
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
2.35V
Collector Emitter Voltage Max
600V
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Tài Liệu Kỹ Thuật (2)
Sản Phẩm Liên Kết
Tìm Thấy 4 Sản Phẩm
Pháp Chế và Môi Trường
Nước xuất xứ:
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Mexico
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiệnNước xuất xứ:Mexico
Quốc gia nơi quy trình sản xuất quan trọng cuối cùng được thực hiện
Số Thuế Quan:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS:Có
RoHS
Tuân thủ tiêu chuẩn RoHS Phthalates:Chờ thông báo
Tải xuống Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Chứng Nhận Chất Lượng Sản Phẩm
Trọng lượng (kg):.002